RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
28
Velocità di lettura, GB/s
9.2
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3741
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link