RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
54
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
30
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3292
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link