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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
23.6
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
28
Velocità di lettura, GB/s
9.2
23.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
18.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
4114
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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