RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
54
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
24
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3346
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link