RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
54
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
29
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3573
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link