RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
54
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
25
Velocità di lettura, GB/s
9.2
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3541
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link