RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
54
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
24
Velocità di lettura, GB/s
9.2
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
4006
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link