RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
54
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
27
Velocità di lettura, GB/s
9.2
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3956
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link