RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
54
Intorno -145% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
22
Velocità di lettura, GB/s
9.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3036
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link