RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
54
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
24
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3049
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link