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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
54
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
30
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3575
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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