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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
54
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.3
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
33
Velocità di lettura, GB/s
9.2
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2235
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
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