Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    54 left arrow 60
    Intorno 10% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.2 left arrow 6.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 4.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    54 left arrow 60
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.2 left arrow 6.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 4.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2105 left arrow 1400
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti