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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
54
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
28
Velocità di lettura, GB/s
9.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2892
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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