RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
54
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
38
Velocità di lettura, GB/s
9.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2107
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link