RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
54
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
27
Velocità di lettura, GB/s
9.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2809
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link