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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
54
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
27
Velocità di lettura, GB/s
9.2
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3909
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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