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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
54
Intorno -157% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
21
Velocità di lettura, GB/s
9.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2337
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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