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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
56
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
56
Velocità di lettura, GB/s
9.2
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2455
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C10-4GXM 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CK0 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-492.A00LF 4GB
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