RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
54
Intorno -135% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
23
Velocità di lettura, GB/s
9.2
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2532
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link