RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Super Talent F21UB8GS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Super Talent F21UB8GS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
54
Intorno -145% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
22
Velocità di lettura, GB/s
9.2
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2200
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link