RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Super Talent F24UB16GV 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Super Talent F24UB16GV 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
54
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
24
Velocità di lettura, GB/s
9.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3046
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link