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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
54
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
30
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3238
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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