RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
63
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
43
Velocità di lettura, GB/s
8.1
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3257
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link