RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
63
Intorno -142% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
26
Velocità di lettura, GB/s
8.1
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3417
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link