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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
63
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
24
Velocità di lettura, GB/s
8.1
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
20.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
4029
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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