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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
63
周辺 -163% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.6
8.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
24
読み出し速度、GB/s
8.1
20.6
書き込み速度、GB/秒
7.5
20.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1945
4029
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
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