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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
総合得点
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
45
周辺 -36% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
33
読み出し速度、GB/s
12.3
16.4
書き込み速度、GB/秒
8.0
12.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1992
2949
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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