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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.3
16.4
写入速度,GB/s
8.0
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2949
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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