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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
63
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
25
Velocità di lettura, GB/s
8.1
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2620
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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