RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
63
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2620
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link