RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
63
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
29
Velocità di lettura, GB/s
8.1
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
3675
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link