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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
66
Intorno -83% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
36
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2353
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
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