RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
66
En -83% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
2353
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link