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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Confronto
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
26
Velocità di lettura, GB/s
10.2
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2049
3153
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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