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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
51
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
36
Velocità di lettura, GB/s
10.2
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2049
2519
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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