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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
AMD R7416G2133U2S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
78
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R7416G2133U2S 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
10
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
78
Velocità di lettura, GB/s
10.0
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
1594
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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