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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
AMD R7416G2133U2S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
78
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R7416G2133U2S 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
10
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
78
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
1594
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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