RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
10.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3593
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link