RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3593
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link