RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3110
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link