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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3110
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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