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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
49
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
35
Velocità di lettura, GB/s
10.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2660
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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