RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
49
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2660
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link