RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
49
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.1
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
29
Velocità di lettura, GB/s
10.0
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2797
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link