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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
49
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2797
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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