RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
27
Velocità di lettura, GB/s
10.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
3711
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link