RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3711
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link