RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
49
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
10
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
21
Velocità di lettura, GB/s
10.0
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2276
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Confronto tra le RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link