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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
49
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
21
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2276
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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